我校微電子學(xué)院李曉干副教授和佐治亞理工大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院博士生鄒海洋等人一起，在中國(guó)科學(xué)院王中林院士的指導(dǎo)下，在硅和氧化鋅納米線兩種半導(dǎo)體材料構(gòu)成的光探測(cè)器上設(shè)計(jì)了特殊的金針菇云狀的薄膜電極層，該結(jié)構(gòu)能通過(guò)減少光的反射，極大地提高硅對(duì)近紅外光的吸收。同時(shí)，通過(guò)施加外應(yīng)力作用在氧化鋅納米線上，在界面產(chǎn)生極化作用，提高光探測(cè)性能，其性能在近紫外442納米的波段光響應(yīng)提高78%，在近紅外區(qū)域1060納米光響應(yīng)也提高了20%左右，同時(shí)其測(cè)量極限和線性關(guān)系也得到了很大提高。

他們利用該器件首次研究和發(fā)現(xiàn)了極化作用對(duì)界面處光激發(fā)的電子和空穴的不同影響。這對(duì)完善相關(guān)理論和發(fā)展更優(yōu)良的光電器件有著重要意義。該工作發(fā)表在專業(yè)著名學(xué)術(shù)期刊《先進(jìn)材料》上（Adv. Mater. 2017, 1701412，IF：19.79）。李曉干副教授與鄒海洋博士生等人以共同第一作者的身份聯(lián)合署名該論文工作。

寬帶光探測(cè)器，是一種能將較大大范圍不同波長(zhǎng)的光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的電子器件，在通信系統(tǒng)、醫(yī)療、熱成像、環(huán)境監(jiān)測(cè)和國(guó)防科技都有廣泛的應(yīng)用。硅作為重要的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)著重要地位。但是，由于硅對(duì)900納米以上的近紅外光吸收不強(qiáng)，這極大限制了硅在寬帶光探測(cè)器的應(yīng)用。